Chauhan, T. S. (2024). GaN transistor modeling for RF and power electronics: Using the ASM-HEMT model. Woodhead Publishing.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Chauhan, Togesh Singh. GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-HEMT Model. Cambridge: Woodhead Publishing, 2024.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Chauhan, Togesh Singh. GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-HEMT Model. Woodhead Publishing, 2024.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..