GaN transistor modeling for RF and power electronics : using the ASM-HEMT model /

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Beste egile batzuk: Chauhan, Togesh Singh
Formatua: eBook
Hizkuntza:ingelesa
Argitaratua: Cambridge : Woodhead Publishing, 2024.
Saila:Woodhead Publishing series in electronic and optical materials
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:ScienceDirect
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!