GaN transistor modeling for RF and power electronics : using the ASM-HEMT model /
محفوظ في:
| مؤلفون آخرون: | |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب الكتروني |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
Cambridge :
Woodhead Publishing,
2024.
|
| سلاسل: | Woodhead Publishing series in electronic and optical materials
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | ScienceDirect |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
النظام قيد الصيانة
نظام إدارة مكتبتنا قيد الصيانة حاليا.
معلومات إتاحة المواد والمقتنيات غير متاحة حاليا. الرجاء قبول اعتذارنا عن أي إزعاج قد يسببه ذلك والاتصال بنا للمزيد من المساعدة: