GaN transistor modeling for RF and power electronics : using the ASM-HEMT model /

Shranjeno v:

Bibliografske podrobnosti
Drugi avtorji:	Chauhan, Togesh Singh
Format:	eKnjiga
Jezik:	angleščina
Izdano:	Cambridge : Woodhead Publishing, 2024.
Serija:	Woodhead Publishing series in electronic and optical materials
Teme:	Transistors > Materials > Simulation methods. Gallium nitride. Transistors > Matériaux > Méthodes de simulation. Nitrure de gallium. Gallium nitride
Online dostop:	ScienceDirect
Oznake:	Označite Brez oznak, prvi označite!

Vzdrževanje sistema

Trenutno vzdržujemo knjižnični informacijski sistem.

Informacije o zalogi so trenutno nedostopne. Opravičujemo se za nevšečnosti in vas prosimo da nas ponovno kontaktirate:

ScienceDirect