GaN transistor modeling for RF and power electronics : using the ASM-HEMT model /

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Altres autors: Chauhan, Togesh Singh
Format: eBook
Idioma:anglès
Publicat: Cambridge : Woodhead Publishing, 2024.
Col·lecció:Woodhead Publishing series in electronic and optical materials
Matèries:
Accés en línia:ScienceDirect
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Sistema fora de servei per tasques de manteniment

El catàleg està fora de servei temporalment per tasques de manteniment

La informació de disponibilitat dels exemplars no està disponible en aquests moments, sentim les inconveniències:

library@juniv.edu

Internet

ScienceDirect